Транзистор IRF1404 Оригінал!!! 202A/143A 40V MOSFET TO-220 IRF1404PbF (заміна CS1404, IRFB1404, FHP1404A)

Характеристики Транзистор IRF1404 Оригінал!!! 202A/143A 40V MOSFET TO-220 IRF1404PbF (заміна CS1404, IRFB1404, FHP1404A) Корпус -TO-220 Технічні характеристики MOSFET-транзистора IRF1404 Загальні параметри: Виробники / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier Технологічна база: Advanced HEXFET Power MOSFET Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET Виконання корпусу: TO-220 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга стік-витік Vdss: 40 В Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 202 А Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C обмеження корпусу: 75 А Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 143 А Піковий імпульсний струм стоку Idm: 808 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 333 Вт Максимальна одиночна лавинна енергія Eas: 520 мДж Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 3.5 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 121 А Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 4.0 мОм Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Повний заряд затвора Qg: ~131 нКл при напрузі затвора 10 В Вхідна ємність Ciss: ~5600 пФ Вихідна ємність Coss: ~2100 пФ Час затримки ввімкнення tdon: ~17 нс Час затримки вимкнення tdoff: ~72 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.30 В при прямому струмі 121 А та напрузі затвора 0 В Час зворотного відновлення trr: ~74-110 нс Максимальний прямий струм діода If: 202 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.45 °C/Вт